品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 110mV 125mA，2.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500mA，2V

功率 - 最大值： 1.6W

频率 - 跃迁： 280MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 8-ECH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 110mV 125mA，2.5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500mA，2V

功率 - 最大值： 1.6W

频率 - 跃迁： 280MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 8-ECH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： ECH-8

系列： ECH8501

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN, PNP

配置： Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO： 30 V, - 30 V

集电极—基极电压 VCBO： 40 V, - 30 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V, - 6 V

集电极—射极饱和电压： 75 mV, - 100 mV

最大直流电集电极电流： 5 A, - 5 A

Pd-功率耗散： 1.6 W

增益带宽产品fT： 280 MHz, 260 MHz

商标： onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min： 200 at 500 mA, 2 V

直流电流增益 hFE 最大值： 560 at 500 mA, 2 V

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 18.080 mg

温度： -~+ 150 C