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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG4T2R_晶体管-双极
EMG4T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+1:

¥1.590464

+200:

¥0.634656

+500:

¥0.613457

+1000:

¥0.602967

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG4T2R_null
EMG4T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

+1:

¥4.722106

+100:

¥2.677536

+1000:

¥1.370822

+4000:

¥0.929491

+8000:

¥0.702605

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

自营 国内现货
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EMG4T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+8000:

¥0.721036

+16000:

¥0.648926

+24000:

¥0.639335

+56000:

¥0.6009

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG4T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+8000:

¥1.245948

+16000:

¥1.121341

+24000:

¥1.104768

+56000:

¥1.038353

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

EMG4T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

EMG4T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG4T2R_晶体管
EMG4T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管

+8000:

¥1.394172

+48000:

¥1.314958

+96000:

¥1.299115

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

EMG4T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线
供应商器件封装: EMT5
温度: