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EMB3T2R_晶体管-双极
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

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¥1.150992

+8000:

¥0.822096

+16000:

¥0.822096

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

自营 现货库存
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EMB3T2R_null
EMB3T2R
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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¥0.472313

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¥0.412902

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¥0.368344

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¥0.332698

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

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EMB3T2R
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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¥3.771216

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¥2.138256

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¥1.094832

+4000:

¥0.74232

+8000:

¥0.561168

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

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自营 国内现货
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EMB3T2R_晶体管-双极
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

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¥0.39578

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

Digi-Key
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EMB3T2R_晶体管-双极
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

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¥0.683906

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMB3T2R_晶体管-双极
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晶体管-双极

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¥4.81885

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¥3.546179

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¥3.103834

+100:

¥1.685362

+250:

¥1.67696

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

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晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
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EMB3T2R_晶体管
EMB3T2R
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMB3T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 2.5mA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: