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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH4T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+20：￥1.103904 +100：￥0.938304 +300：￥0.772704 +1000：￥0.634752 +8000：￥0.551952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH4T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.668441 +200：￥0.258678 +500：￥0.249589 +1000：￥0.245096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH4T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册	+1：￥4.722106 +100：￥2.677536 +1000：￥1.370822 +4000：￥0.929491 +8000：￥0.702605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH4T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+8000：￥1.307747 +16000：￥1.223449 +24000：￥1.122191 +56000：￥1.079916	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：
	EMH4T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册未分类	+1：￥4.936322 +10：￥3.961716 +100：￥2.699789 +500：￥2.024904 +1000：￥1.518743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： SOT-563, SOT-666 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max： 150mW Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition： 250MHz Resistor - Base (R1)： 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2)： - Supplier Device Package： EMT6 Part Status： Active
	EMH4T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册未分类	+1：￥4.936322 +10：￥3.797171 +100：￥2.278302 +500：￥2.109202 +1000：￥1.434318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： SOT-563, SOT-666 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max： 150mW Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition： 250MHz Resistor - Base (R1)： 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2)： - Supplier Device Package： EMT6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH4T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册未分类	+1：￥6.276131 +10：￥5.036997 +100：￥2.574823 +1000：￥1.770191 +2500：￥1.673636	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

EMH4T2R参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 1mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA（ICBO）
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	150mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	EMT6
温度: