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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB11T2R_晶体管-双极
EMB11T2R
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥1.135827

+200:

¥0.946583

+500:

¥0.757218

+1000:

¥0.631015

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

自营 现货库存
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EMB11T2R_晶体管-双极
EMB11T2R
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

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¥0.668441

+200:

¥0.258678

+500:

¥0.249589

+1000:

¥0.245096

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

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EMB11T2R_null
EMB11T2R
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

+1:

¥6.940253

+100:

¥3.935131

+1000:

¥2.494814

+4000:

¥1.691539

+8000:

¥1.26023

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

自营 国内现货
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EMB11T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥0.612631

+16000:

¥0.57314

+24000:

¥0.525705

+56000:

¥0.505901

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB11T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥1.498657

+16000:

¥1.402053

+24000:

¥1.286014

+56000:

¥1.237567

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMB11T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥5.656947

+10:

¥4.540062

+100:

¥3.093914

+500:

¥2.320508

+1000:

¥1.740454

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

EMB11T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥5.656947

+10:

¥4.540062

+100:

¥3.093914

+500:

¥2.320508

+1000:

¥1.740454

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB11T2R_未分类
EMB11T2R
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

未分类

+1:

¥6.466712

+10:

¥5.189951

+100:

¥2.65301

+1000:

¥1.823944

+2500:

¥1.724457

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMB11T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: