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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EMX1DXV6T1G_null
EMX1DXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
+5：

￥0.852983

+50：

￥0.706339

+150：

￥0.633016

+500：

￥0.577943

+2500：

￥0.533907

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 NPN（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V

功率 - 最大值： 500mW

频率 - 跃迁： 180MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EMX1DXV6T1G_双极晶体管预偏置
EMX1DXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+4000：

￥0.459222

+8000：

￥0.420698

+12000：

￥0.400937

+20000：

￥0.378611

+28000：

￥0.365289

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 NPN（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V

功率 - 最大值： 500mW

频率 - 跃迁： 180MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EMX1DXV6T1G_双极晶体管预偏置
EMX1DXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+4000：

￥1.123379

+8000：

￥1.02914

+12000：

￥0.980797

+20000：

￥0.92618

+28000：

￥0.893594

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 NPN（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V

功率 - 最大值： 500mW

频率 - 跃迁： 180MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

温度： -55°C # 150°C（TJ）

EMX1DXV6T1G_双极晶体管预偏置
EMX1DXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥4.283618

+10：

￥2.92204

+100：

￥1.967404

+500：

￥1.514872

+1000：

￥1.363569

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

EMX1DXV6T1G_双极晶体管预偏置
EMX1DXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥4.283618

+10：

￥2.92204

+100：

￥1.967404

+500：

￥1.514872

+1000：

￥1.363569

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

供应商器件封装： SOT-563

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EMX1DXV6T1G_晶体管
EMX1DXV6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

下载数据手册

晶体管
+1：

￥3.15075

+10：

￥2.354772

+100：

￥1.641706

+1000：

￥1.343216

+4000：

￥1.210551

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-563-6

系列： EMX1

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极—基极电压 VCBO： 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 7 V

集电极—射极饱和电压： 400 mV

最大直流电集电极电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 357 mW

增益带宽产品fT： 180 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： 0.1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 120

高度： 0.55 mm

长度： 1.6 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 1.2 mm

单位重量： 3 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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EMX1DXV6T1G_未分类
EMX1DXV6T1G
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R

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未分类
+4000：

￥1.165475

+8000：

￥1.146903

+12000：

￥1.136068

+20000：

￥1.123685

+24000：

￥1.112851

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

EMX1DXV6T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 400mV 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 1mA，6V
功率 - 最大值: 500mW
频率 - 跃迁: 180MHz
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563，SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C（TJ）