搜索 EMB10FHAT2R 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| 授权代理品牌 | 1+: | ||||
| 授权代理品牌 | 1+: | 系列： Automotive, AEC-Q101 晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 | |||
| 授权代理品牌 | 1+: | 系列： Automotive, AEC-Q101 晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
EMB10FHAT2R 授权代理品牌 | +8000： ￥1.267429 |
EMB10FHAT2R参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Rohm Semiconductor |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 2.2 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 47 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 80 10mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 500nA |
| 频率 - 跃迁: | 250MHz |
| 功率 - 最大值: | 150mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | EMT6 |
| 温度: |