锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 EMG5T2R9 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG5T2R_晶体管-双极
EMG5T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+20:

¥1.079925

+100:

¥0.807675

+1000:

¥0.626175

+8000:

¥0.45375

+16000:

¥0.431123

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG5T2R_null
EMG5T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

+1:

¥0.584414

+10:

¥0.487913

+30:

¥0.439664

+100:

¥0.403475

+500:

¥0.374526

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG5T2R_null
EMG5T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

+1:

¥3.886992

+100:

¥2.246688

+1000:

¥1.424448

+4000:

¥0.965808

+8000:

¥0.698256

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG5T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+5:

¥0.323516

+50:

¥0.246798

+150:

¥0.232707

+500:

¥0.218616

+2500:

¥0.212354

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG5T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+5:

¥0.791406

+50:

¥0.603734

+150:

¥0.569263

+500:

¥0.534794

+2500:

¥0.519473

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

EMG5T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+5:

¥0.791406

+50:

¥0.603734

+150:

¥0.569263

+500:

¥0.534794

+2500:

¥0.519473

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

EMG5T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管-双极

+5:

¥0.791406

+50:

¥0.603734

+150:

¥0.569263

+500:

¥0.534794

+2500:

¥0.519473

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG5T2R_晶体管
EMG5T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线

供应商器件封装: EMT5

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMG5T2R_未分类
EMG5T2R
授权代理品牌
+1:

¥8.886061

+50:

¥5.924041

+500:

¥1.579746

+1000:

¥1.382278

+2500:

¥1.184811

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

EMG5T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线
供应商器件封装: EMT5
温度: