品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

应用： -

电压 - 额定： 50V

额定电流（安培）： 100mA

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-553

供应商器件封装： SOT-553

温度：

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

应用： -

电压 - 额定： 50V

额定电流（安培）： 100mA

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-553

供应商器件封装： SOT-553

温度：

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

应用： -

电压 - 额定： 50V

额定电流（安培）： 100mA

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-553

供应商器件封装： SOT-553

温度：

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-553-5

系列： EMC3DXV5

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Dual Common Base and Collector

晶体管极性： NPN, PNP

典型输入电阻器： 47 kOhms

典型电阻器比率： 1, 0.47

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 80

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： 0.1 A

峰值直流集电极电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 357 mW

商标： onsemi

直流电流增益 hFE 最大值： 35

高度： 0.6 mm

长度： 1.7 mm

通道数量： 2 Channel

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度： 1.3 mm

单位重量： 17.500 mg

温度： - 55 C~+ 150 C