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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMF21-7_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

晶体管-双极

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,280MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMF21-7_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V / 270 10mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,280MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度:

EMF21-7_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

EMF21-7_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

晶体管-双极

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

EMF21-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: 1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA,500mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V,12V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA,5V / 270 10mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA / 250mV 10mA,200mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz,280MHz
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: