品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.85 毫欧 5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 3.8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.8W（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 10-SMD，无引线

供应商器件封装： 10-WLCSP（1.84x1.96）

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.85 毫欧 5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30nC 3.8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.8W（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 10-SMD，无引线

供应商器件封装： 10-WLCSP（1.84x1.96）

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： WLCSOP-10

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 12 V

Id-连续漏极电流： 20 A

Rds On-漏源导通电阻： 2.85 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.3 V

Qg-栅极电荷： 30 nC

Pd-功率耗散： 1.8 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

下降时间： 70 us

产品类型： MOSFET

上升时间： 36 us

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 95 us

典型接通延迟时间： 11 us

温度： ~+ 150 C