品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.5W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 8-ECH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.5W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 8-ECH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： ECH-8

系列： ECH8651R

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 24 V

Id-连续漏极电流： 10 A

Rds On-漏源导通电阻： 14 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.3 V

Qg-栅极电荷： 16.8 nC

Pd-功率耗散： 1.4 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 2 N-Channel

单位重量： 19.450 mg

温度： - 55 C~+ 150 C