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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EFC4C012NLTDG_未分类
EFC4C012NLTDG
授权代理品牌

NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL

未分类

+1:

¥19.592595

+10:

¥17.057468

+30:

¥15.473014

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 2.5W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,无引线

供应商器件封装: 6-WLCSP(3.5x1.9)

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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EFC4C012NLTDG_射频晶体管
授权代理品牌

NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL

射频晶体管

+5000:

¥8.273831

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 2.5W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,无引线

供应商器件封装: 6-WLCSP(3.5x1.9)

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EFC4C012NLTDG_射频晶体管
授权代理品牌

NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL

射频晶体管

+5000:

¥14.297152

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 2.5W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,无引线

供应商器件封装: 6-WLCSP(3.5x1.9)

温度: 150°C(TJ)

EFC4C012NLTDG_未分类
EFC4C012NLTDG
授权代理品牌

NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL

未分类

+5000:

¥13.335022

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: 6-SMD, No Lead

Mounting Type: Surface Mount

Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max: 2.5W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss): -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: -

Rds On (Max) @ Id, Vgs: -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V

FET Feature: -

Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA

Supplier Device Package: 6-WLCSP (3.5x1.9)

Part Status: Last Time Buy

EFC4C012NLTDG_未分类
EFC4C012NLTDG
授权代理品牌

NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL

未分类

+1:

¥30.273556

+10:

¥27.186133

+100:

¥21.848618

+500:

¥17.951017

+1000:

¥14.873686

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: 6-SMD, No Lead

Mounting Type: Surface Mount

Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max: 2.5W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss): -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: -

Rds On (Max) @ Id, Vgs: -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V

FET Feature: -

Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA

Supplier Device Package: 6-WLCSP (3.5x1.9)

Part Status: Last Time Buy

EFC4C012NLTDG_未分类
EFC4C012NLTDG
授权代理品牌

NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL

未分类

+1:

¥30.273556

+10:

¥27.186133

+100:

¥21.848618

+500:

¥17.951017

+1000:

¥14.873686

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: 6-SMD, No Lead

Mounting Type: Surface Mount

Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max: 2.5W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss): -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: -

Rds On (Max) @ Id, Vgs: -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V

FET Feature: -

Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA

Supplier Device Package: 6-WLCSP (3.5x1.9)

Part Status: Last Time Buy

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EFC4C012NLTDG_未分类
EFC4C012NLTDG
授权代理品牌

NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL

未分类

+1:

¥36.341464

+10:

¥32.865323

+100:

¥26.861081

+500:

¥22.436904

+1000:

¥18.170732

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 5000

艾睿
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EFC4C012NLTDG_未分类
EFC4C012NLTDG
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 6-Pin WLCSP T/R

未分类

+1:

¥14.539382

+10:

¥14.368857

+25:

¥14.333912

+50:

¥14.328321

+100:

¥14.325526

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

EFC4C012NLTDG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 2.5W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,无引线
供应商器件封装: 6-WLCSP(3.5x1.9)
温度: 150°C(TJ)