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EFC4C012NLTDG参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | - |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 18nC 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | 2.5W(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-SMD,无引线 |
供应商器件封装: | 6-WLCSP(3.5x1.9) |
温度: | 150°C(TJ) |