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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EFC3J018NUZTDG_null
EFC3J018NUZTDG
授权代理品牌

NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

+1:

¥3.851067

+200:

¥1.495869

+500:

¥1.442824

+1000:

¥1.410997

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-XFBGA, WLCSP

供应商器件封装: 6-WLCSP (1.77x3.05)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EFC3J018NUZTDG_射频晶体管
授权代理品牌

NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

射频晶体管

+5000:

¥4.015708

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-XFBGA, WLCSP

供应商器件封装: 6-WLCSP (1.77x3.05)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EFC3J018NUZTDG_晶体管
EFC3J018NUZTDG
授权代理品牌

NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: WLCSP-6

系列: EFC3J018NUZ

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 23 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV

Qg-栅极电荷: 75 nC

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 2800 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 890 ns

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 4100 ns

典型接通延迟时间: 280 ns

单位重量: 194.792 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

EFC3J018NUZTDG参数规格

属性 参数值
系列: -
安装类型: Surface Mount
工作温度: 150°C (TJ)
封装/外壳: 6-XFBGA, WLCSP
供应商器件封装: 6-WLCSP (1.77x3.05)