品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 2W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-XFBGA，FCBGA

供应商器件封装： EFCP2718-6CE-020

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 2W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-XFBGA，FCBGA

供应商器件封装： EFCP2718-6CE-020

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 2W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-XFBGA，FCBGA

供应商器件封装： EFCP2718-6CE-020

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 2W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-XFBGA，FCBGA

供应商器件封装： EFCP2718-6CE-020

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 6-XFBGA, FCBGA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Power - Max： 2W

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： -

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 48nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate, 2.5V Drive

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： EFCP2718-6CE-020

Part Status： Active

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： WLCSP-6

系列： EFC6601R

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 24 V

Id-连续漏极电流： 13 A

Rds On-漏源导通电阻： 11.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： -

Qg-栅极电荷： 48 nC

Pd-功率耗散： 2 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

产品类型： MOSFET

单位重量： 68.400 mg

温度： - 55 C~+ 150 C