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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EFC4621R-TR_未分类
EFC4621R-TR
ON(安森美)
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￥3.297914

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￥2.699248

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￥2.405166

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￥2.089974

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￥1.923608

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-XFBGA，FCBGA

供应商器件封装： EFCP1616-4CE-022

温度： 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EFC4621R-TR_射频晶体管
EFC4621R-TR
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥3.415104

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-XFBGA，FCBGA

供应商器件封装： EFCP1616-4CE-022

温度： 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EFC4621R-TR_未分类
EFC4621R-TR
ON(安森美)
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+5956：

￥1.501892

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-XFBGA，FCBGA

供应商器件封装： EFCP1616-4CE-022

温度： 150°C（TJ）

EFC4621R-TR_未分类
EFC4621R-TR
ON(安森美)
授权代理品牌
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-XFBGA，FCBGA

供应商器件封装： EFCP1616-4CE-022

温度： 150°C（TJ）

自营 国内现货
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EFC4621R-TR_射频晶体管
EFC4621R-TR
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￥2.000849

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-XFBGA，FCBGA

供应商器件封装： EFCP1616-4CE-022

温度： 150°C（TJ）

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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EFC4621R-TR_射频晶体管
EFC4621R-TR
ON(安森美)
授权代理品牌
+5000：

￥3.45746

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-XFBGA，FCBGA

供应商器件封装： EFCP1616-4CE-022

温度： 150°C（TJ）

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EFC4621R-TR
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+5000：

￥2.828881

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 4-XFBGA, FCBGA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Power - Max： 1.6W

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： -

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate, 2.5V Drive

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： EFCP1616-4CE-022

Part Status： Active

EFC4621R-TR_未分类
EFC4621R-TR
ON(安森美)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 4-XFBGA, FCBGA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Power - Max： 1.6W

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： -

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate, 2.5V Drive

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： EFCP1616-4CE-022

Part Status： Active

EFC4621R-TR_未分类
EFC4621R-TR
ON(安森美)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 4-XFBGA, FCBGA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Power - Max： 1.6W

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： -

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate, 2.5V Drive

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： EFCP1616-4CE-022

Part Status： Active

EFC4621R-TR_未分类
EFC4621R-TR
ON(安森美)
授权代理品牌
+1341：

￥2.62099

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： 4-XFBGA, FCBGA

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 1.6W

Drain to Source Voltage (Vdss)： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： -

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate, 2.5V Drive

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： EFCP1616-4CE-022

Part Status： Last Time Buy

EFC4621R-TR参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 29nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
功率 - 最大值: 1.6W
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-XFBGA，FCBGA
供应商器件封装: EFCP1616-4CE-022
温度: 150°C（TJ）