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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EFC2J004NUZTDG_未分类
EFC2J004NUZTDG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL

未分类
+1：

￥1.435571

+200：

￥0.555564

+500：

￥0.536079

+1000：

￥0.526444

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

安装类型： -

工作温度： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EFC2J004NUZTDG_射频晶体管
EFC2J004NUZTDG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL

射频晶体管
+5000：

￥2.415355

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： -

工作温度： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
EFC2J004NUZTDG_开关控制器
EFC2J004NUZTDG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL

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开关控制器
+1：

￥7.685655

+10：

￥6.685069

+100：

￥5.002925

+500：

￥3.929834

+1000：

￥3.030759

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： EFC2J004NUZ

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 12 V

Id-连续漏极电流： 14 A

Rds On-漏源导通电阻： 7.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.3 V

Qg-栅极电荷： 36 nC

Pd-功率耗散： 1.5 W

通道模式： Depletion

商标： onsemi

产品： MOSFET

产品类型： MOSFET

单位重量： 71.525 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

EFC2J004NUZTDG参数规格

属性 参数值
系列: -
安装类型: -
工作温度: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -