品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-XFBGA

供应商器件封装： 6-EFCP（1.9x1.46）

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-XFBGA

供应商器件封装： 6-EFCP（1.9x1.46）

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.6W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-XFBGA

供应商器件封装： 6-EFCP（1.9x1.46）

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 6-XFBGA

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 1.6W

Drain to Source Voltage (Vdss)： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： -

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 29nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate, 2.5V Drive

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： 6-EFCP (1.9x1.46)

Part Status： Obsolete

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： WLCSP-6

系列： EFC6604R

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 12 V

Id-连续漏极电流： 13 A

Rds On-漏源导通电阻： 9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 500 mV

Qg-栅极电荷： 29 nC

Pd-功率耗散： 1.6 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 2 N-Channel

单位重量： 66 mg

温度： - 55 C~+ 150 C