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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EPC2101ENGRT_射频晶体管
授权代理品牌

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

射频晶体管

+500:

¥57.084829

+1000:

¥51.376346

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: EPC

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: eGaN®

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)

FET 功能: GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A,38A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧 20A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.7nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 300pF 30V

功率 - 最大值: -

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 模具

供应商器件封装: 模具

温度: -40°C # 150°C(TJ)

EPC2101ENGRT_射频晶体管
授权代理品牌

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

射频晶体管

+1:

¥90.569653

+10:

¥81.821588

+25:

¥78.015934

+100:

¥64.69614

+250:

¥60.890485

库存: 0

货期:7~10 天

系列: eGaN®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: Die

供应商器件封装: Die

EPC2101ENGRT_射频晶体管
授权代理品牌

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: eGaN®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: Die

供应商器件封装: Die

EPC2101ENGRT参数规格

属性 参数值
品牌: EPC
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: eGaN®
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A,38A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧 20A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.7nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 300pF 30V
功率 - 最大值: -
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
温度: -40°C # 150°C(TJ)