品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 2.5W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-SMD，无引线

供应商器件封装： 6-CSP（1.77x3.54）

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 2.5W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-SMD，无引线

供应商器件封装： 6-CSP（1.77x3.54）

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： CSP-6

系列： EFC6611R

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 12 V

Id-连续漏极电流： 27 A

Rds On-漏源导通电阻： 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 500 mV

Qg-栅极电荷： 100 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

产品类型： MOSFET

单位重量： 3.350 mg

温度： - 55 C~+ 150 C