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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ECH8601M-TL-H_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 8-ECH

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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ECH8601M-TL-H_射频晶体管

N-CHANNEL POWER MOSFET

射频晶体管

+705:

¥2.100524

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-ECH

ECH8601M-TL-H_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 8-ECH

温度: 150°C(TJ)

ECH8601M-TL-H_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-ECH

ECH8601M-TL-H_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-ECH

Mouser
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ECH8601M-TL-H_未分类
ECH8601M-TL-H
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MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

ECH8601M-TL-H参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss): 24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: -
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 8-ECH
温度: 150°C(TJ)