搜索 EFC6602R-A-TR 共 2 条相关记录
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | MOSFET 2N-CH EFCP | 1+: |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | MOSFET 2N-CH EFCP | 1+: |
EFC6602R-A-TR参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 55nC 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | 2W |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-XFBGA，FCBGA |
| 供应商器件封装: | EFCP2718-6CE-020 |
| 温度: | 150°C（TJ） |