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ECH8659-M-TL-H_射频晶体管
ECH8659-M-TL-H
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

射频晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.8nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 710pF 10V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 8-ECH

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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ECH8659-M-TL-H_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

射频晶体管

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国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.8nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 710pF 10V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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ECH8659-M-TL-H_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

射频晶体管

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品牌: onsemi

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FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.8nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 710pF 10V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: 150°C(TJ)

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ECH8659-M-TL-H_未分类
ECH8659-M-TL-H
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

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零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 3.5A,10V

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.8nC 10V

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功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: 150°C(TJ)

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ECH8659-M-TL-H参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.8nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 710pF 10V
功率 - 最大值: 1.5W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 8-ECH
温度: 150°C(TJ)