品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 35 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17 毫欧 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 960 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-ECH
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
温度: 150°C(TJ)