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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EFC6612R-A-TF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 2.5W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,无引线

供应商器件封装: 6-CSP(1.77x3.54)

温度: -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EFC6612R-A-TF_射频晶体管

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

射频晶体管

+532:

¥5.807332

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -

封装/外壳: 6-SMD, No Lead

供应商器件封装: 6-CSP (1.77x3.54)

EFC6612R-A-TF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 2.5W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,无引线

供应商器件封装: 6-CSP(1.77x3.54)

温度: -

Mouser
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EFC6612R-A-TF_射频晶体管
EFC6612R-A-TF
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 2.5W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,无引线

供应商器件封装: 6-CSP(1.77x3.54)

温度: -

EFC6612R-A-TF参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss): -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 2.5W
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,无引线
供应商器件封装: 6-CSP(1.77x3.54)
温度: -