品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36.5 毫欧 2.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.9nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 1.4W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 8-EMH

温度： 150°C（TJ）