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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8660-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH 下载数据手册未分类	+1：￥4.141435 +200：￥1.606309 +500：￥1.551672 +1000：￥1.518891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 240pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8660-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 240pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8660-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.801942 +6000：￥1.707103 +9000：￥1.580675 +30000：￥1.565025	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 240pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8660-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.113749 +6000：￥2.949868 +9000：￥2.731402 +30000：￥2.704357	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 240pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： 8-ECH 温度： 150°C（TJ）
	ECH8660-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.225236 +10：￥7.103612 +100：￥4.916448 +500：￥4.108132 +1000：￥3.496223	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： 8-ECH
	ECH8660-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.225236 +10：￥7.103612 +100：￥4.916448 +500：￥4.108132 +1000：￥3.496223	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： 8-ECH

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8660-TL-H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH 下载数据手册未分类	+1：￥10.457712 +10：￥8.809831 +100：￥6.258782 +500：￥5.228857 +1000：￥4.452451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8660-TL-H 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4.5A 8-Pin ECH T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥2.62354 +6000：￥2.531666	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8660-TL-H onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+5：￥3.356084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ECH8660-TL-H参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	59 毫欧 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.4nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	240pF 10V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	8-ECH
温度:	150°C（TJ）