锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 ECH8693R-TL-W7 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ECH8693R-TL-W_未分类
ECH8693R-TL-W
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28

未分类

+1:

¥2.128873

+200:

¥0.823859

+500:

¥0.794925

+1000:

¥0.780673

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 1.4W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ECH8693R-TL-W_未分类
ECH8693R-TL-W
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28

未分类

+5:

¥5.949694

+100:

¥4.373619

+500:

¥3.459948

+1000:

¥2.777656

+3000:

¥2.509633

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ECH8693R-TL-W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28

射频晶体管

+3000:

¥1.754132

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 1.4W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ECH8693R-TL-W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28

射频晶体管

+3000:

¥3.031134

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss): 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 1.4W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8

温度: 150°C(TJ)

ECH8693R-TL-W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28

射频晶体管

+1:

¥8.167937

+10:

¥7.161742

+100:

¥5.487906

+500:

¥4.338714

+1000:

¥3.471019

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8

ECH8693R-TL-W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28

射频晶体管

+1:

¥8.167937

+10:

¥7.161742

+100:

¥5.487906

+500:

¥4.338714

+1000:

¥3.471019

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ECH8693R-TL-W_未分类
ECH8693R-TL-W
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28

未分类

+1:

¥9.387777

+10:

¥8.231311

+100:

¥6.312939

+500:

¥4.993209

+1000:

¥4.000009

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

ECH8693R-TL-W参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss): 24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.4W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8
温度: 150°C(TJ)