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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EM6J1T2R_射频晶体管
EM6J1T2R
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6

射频晶体管

+20:

¥2.9952

+100:

¥2.54592

+300:

¥2.09664

+1000:

¥1.72224

+8000:

¥1.4976

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 115pF 10V

功率 - 最大值: 150mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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EM6J1T2R_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6

射频晶体管

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¥1.025062

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 115pF 10V

功率 - 最大值: 150mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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EM6J1T2R_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6

射频晶体管

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¥1.771303

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 115pF 10V

功率 - 最大值: 150mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

EM6J1T2R_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6

射频晶体管

+1:

¥5.388367

+10:

¥4.580113

+100:

¥3.420389

+500:

¥2.687326

+1000:

¥2.076726

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: EMT6

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射频晶体管

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¥4.580113

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¥3.420389

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¥2.687326

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¥2.076726

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货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: EMT6

Mouser
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EM6J1T2R_未分类
EM6J1T2R
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MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6

未分类

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¥6.850867

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¥5.82324

+100:

¥4.359644

+500:

¥3.425434

+1000:

¥2.646927

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 115pF 10V

功率 - 最大值: 150mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

EM6J1T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 115pF 10V
功率 - 最大值: 150mW
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: 150°C(TJ)