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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8697R-TL-W ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.577987 +10：￥2.047537 +30：￥1.824748 +100：￥1.548914 +500：￥1.421606	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： SOT-28FL/ECH8 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8697R-TL-W ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.051434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： SOT-28FL/ECH8 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8697R-TL-W ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 下载数据手册未分类	+1：￥1.696037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： SOT-28FL/ECH8 温度： 150°C（TJ）
	ECH8697R-TL-W ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 下载数据手册射频晶体管	+100：￥2.130956 +500：￥2.024918 +1000：￥1.972941 +3000：￥1.921658	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： SOT-28FL/ECH8 温度： 150°C（TJ）
	ECH8697R-TL-W ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.856367 +200：￥1.809252 +1000：￥1.762021	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： SOT-28FL/ECH8 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8697R-TL-W ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.618639 +6000：￥1.533512 +9000：￥1.419889 +30000：￥1.405858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： SOT-28FL/ECH8 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8697R-TL-W ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.797003 +6000：￥2.649904 +9000：￥2.453563 +30000：￥2.429318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： 24V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.6 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： SOT-28FL/ECH8 温度： 150°C（TJ）
	ECH8697R-TL-W ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.373688 +10：￥6.373866 +100：￥4.416714 +500：￥3.690094 +1000：￥3.140567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： SOT-28FL/ECH8
	ECH8697R-TL-W ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.373688 +10：￥6.373866 +100：￥4.416714 +500：￥3.690094 +1000：￥3.140567	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： SOT-28FL/ECH8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ECH8697R-TL-W ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28 下载数据手册未分类	+1：￥6.890075 +10：￥6.185045 +100：￥5.095451 +500：￥4.310303 +1000：￥3.68539	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

ECH8697R-TL-W参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）共漏
FET 功能:	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）:	24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.6 毫欧 5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	SOT-28FL/ECH8
温度:	150°C（TJ）