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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMH2412-TL-H_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 24V 6A EMH8

射频晶体管

+1:

¥1.32975

+25:

¥1.2015

+50:

¥1.15425

+100:

¥1.11375

+250:

¥1.07325

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 27 毫欧 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 1.4W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 8-EMH

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMH2412-TL-H_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 24V 6A EMH8

射频晶体管

+1:

¥3.252921

+25:

¥2.939187

+50:

¥2.823601

+100:

¥2.724528

+250:

¥2.625454

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 27 毫欧 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 1.4W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 8-EMH

温度: 150°C(TJ)

EMH2412-TL-H_射频晶体管
+1312:

¥3.258535

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Sanyo

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: -

漏源电压(Vdss): 24V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A (Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 27mOhm 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

功率 - 最大值: 1.3W (Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: SOT-383FL, EMH8

温度: 150°C

EMH2412-TL-H_射频晶体管
+1087:

¥3.258535

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: 8-EMH

EMH2412-TL-H参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 27 毫欧 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.4W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 8-EMH
温度: 150°C(TJ)