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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6K7T2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.931152 +10：￥0.767986 +30：￥0.698072 +100：￥0.628159 +500：￥0.581585	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6K7T2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.466464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6K7T2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL 下载数据手册	+1：￥7.108848 +100：￥4.030704 +1000：￥2.063808 +4000：￥1.399248 +8000：￥1.057824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6K7T2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥1.028119	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6K7T2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥1.776586	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）
	EM6K7T2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.326915 +10：￥4.592984 +100：￥3.430534 +500：￥2.69542 +1000：￥2.082824	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： EMT6
	EM6K7T2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.326915 +10：￥4.592984 +100：￥3.430534 +500：￥2.69542 +1000：￥2.082824	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： EMT6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6K7T2CR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL 下载数据手册未分类	+1：￥5.578244 +10：￥4.829943 +100：￥3.60545 +500：￥2.829939 +1000：￥2.190482	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

EM6K7T2CR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 200mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	25pF 10V
功率 - 最大值:	150mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	EMT6
温度:	150°C（TJ）