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ECH8659-TL-W_null
ECH8659-TL-W
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

+1:

¥2.647896

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¥1.024759

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¥0.988699

+1000:

¥0.970888

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.8nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 710pF 10V

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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ECH8659-TL-W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

射频晶体管

+3000:

¥3.336126

+6000:

¥3.113718

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.8nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 710pF 10V

功率 - 最大值: 1.3W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8

温度: 150°C(TJ)

ECH8659-TL-W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

射频晶体管

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¥7.339478

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¥6.894661

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+250:

¥4.826263

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8

ECH8659-TL-W_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ECH8659-TL-W_晶体管
ECH8659-TL-W
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: ECH-8

系列: ECH8659

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 7 A

Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.6 V

Qg-栅极电荷: 11.8 nC

Pd-功率耗散: 1.5 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 25 ns

正向跨导 - 最小值: 2.2 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 25 ns

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 43 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

单位重量: 19.450 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

ECH8659-TL-W参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.8nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 710pF 10V
功率 - 最大值: 1.3W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: SOT-28FL/ECH8
温度: 150°C(TJ)