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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EFC4626R-TR ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 下载数据手册射频晶体管	+20：￥2.935944 +100：￥1.985489 +1000：￥1.457445 +8000：￥1.056088 +16000：￥1.003332	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFBGA 供应商器件封装： 4-BGA（1x1）温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EFC4626R-TR ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.530456 +200：￥0.20528 +500：￥0.198067 +1000：￥0.194502	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFBGA 供应商器件封装： 4-BGA（1x1）温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EFC4626R-TR ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 下载数据手册未分类	+16000：￥0.084989 +160000：￥0.082343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFBGA 供应商器件封装： 4-BGA（1x1）温度： 150°C（TJ）
	EFC4626R-TR ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFBGA 供应商器件封装： 4-BGA（1x1）温度： 150°C（TJ）
	EFC4626R-TR ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 下载数据手册射频晶体管	+100：￥2.394406 +500：￥1.809088 +1000：￥1.319605 +2500：￥1.255674 +5000：￥1.138611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFBGA 供应商器件封装： 4-BGA（1x1）温度： 150°C（TJ）
	EFC4626R-TR ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 下载数据手册射频晶体管	+1000：￥0.718886 +5000：￥0.708814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFBGA 供应商器件封装： 4-BGA（1x1）温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EFC4626R-TR ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥0.573905 +16000：￥0.516503 +24000：￥0.508811 +56000：￥0.478215	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFBGA 供应商器件封装： 4-BGA（1x1）温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EFC4626R-TR ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥1.566888 +16000：￥1.440367 +24000：￥1.375961 +40000：￥1.303444 +56000：￥1.260608	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 4-XFBGA 供应商器件封装： 4-BGA（1x1）温度： 150°C（TJ）
	EFC4626R-TR ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.95529 +10：￥4.94146 +100：￥3.140811 +500：￥2.360275 +1000：￥2.108459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 4-XFBGA 供应商器件封装： -
	EFC4626R-TR ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.95529 +10：￥4.94146 +100：￥3.140811 +500：￥2.360275 +1000：￥2.108459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 4-XFBGA 供应商器件封装： -

EFC4626R-TR参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）共漏
FET 功能:	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
功率 - 最大值:	1.4W
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	4-XFBGA
供应商器件封装:	4-BGA（1x1）
温度:	150°C（TJ）