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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES6U1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.181302 +200：￥0.870357 +500：￥0.841291 +1000：￥0.826976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 6 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WEMT 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ES6U1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥1.591456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 6 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WEMT 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）
ES6U1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.94241 +10：￥4.262828 +25：￥3.97864 +100：￥2.95556 +250：￥2.807783	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： 6-WEMT
ES6U1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： 6-WEMT

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES6U1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 260 毫欧 1.3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290 pF 6 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-WEMT 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

ES6U1T2R参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	260 毫欧 1.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.4 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	290 pF 6 V
FET 功能:	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-WEMT
封装/外壳:	6-SMD，扁平引线
温度:	150°C（TJ）