制造商型号: | ES6U1T2R |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROHM(罗姆) ES6U1T2R
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ES6U1T2R 中文资料
数据手册PDF
ES6U1T2R 规格参数
属性
参数值
制造商型号
ES6U1T2R
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.4nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
290pF @ 6V
FET 功能
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大值)
700mW (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
6-WEMT
封装/外壳
SOT-563, SOT-666
库存: 8000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
8000 | 1.591456 | 12731.65 |
品牌其他型号
ES6U1T2R品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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