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E3M0120090D_未分类
E3M0120090D
授权代理品牌

SICFET N-CH 900V 23A TO247-3

未分类

+1:

¥69.836446

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Wolfspeed, Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: E-Series, Automotive

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 15A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17.3 nC 15 V

Vgs(最大值): +18V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 600 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 97W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
E3M0120090D_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥60.4827

+10:

¥55.60164

+100:

¥46.95845

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Wolfspeed, Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: E-Series, Automotive

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 15A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17.3 nC 15 V

Vgs(最大值): +18V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 600 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 97W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
E3M0120090D_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥147.956711

+10:

¥136.016344

+100:

¥114.872811

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Wolfspeed, Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: E-Series, Automotive

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 15A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17.3 nC 15 V

Vgs(最大值): +18V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 600 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 97W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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E3M0120090D_未分类
E3M0120090D
授权代理品牌

SICFET N-CH 900V 23A TO247-3

未分类

+1:

¥187.788825

+10:

¥176.541057

+30:

¥149.970241

+120:

¥121.280284

+270:

¥117.85705

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Wolfspeed, Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: E-Series, Automotive

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 15A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17.3 nC 15 V

Vgs(最大值): +18V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 600 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 97W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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E3M0120090D_未分类
E3M0120090D
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247

未分类

+0:

¥44.610188

+1:

¥32.725141

+10:

¥32.647298

+25:

¥32.631728

+50:

¥32.61616

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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E3M0120090D_未分类
E3M0120090D
授权代理品牌

900V Automotive AEC-Q101 qualified power E-Series MOSFET

未分类

+3:

¥19.847111

+10:

¥19.7999

+25:

¥19.791403

+50:

¥19.781959

+100:

¥19.72436

库存: 0

货期:7~10 天

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E3M0120090D_未分类
E3M0120090D
授权代理品牌

场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 23A, 150度 C, 97W

未分类

+1:

¥92.824106

+10:

¥87.060175

+30:

¥85.622461

+120:

¥78.237834

+510:

¥77.283716

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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E3M0120090D_未分类
E3M0120090D
授权代理品牌

MOSFET, N-CH, 900V, 23A, 150DEG C, 97W

未分类

+1:

¥96.315001

+10:

¥90.341511

+30:

¥88.851158

+120:

¥81.18134

+510:

¥80.18778

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

E3M0120090D参数规格

属性 参数值
品牌: Wolfspeed, Inc.
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: E-Series, Automotive
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 15A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17.3 nC 15 V
Vgs(最大值): +18V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 600 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 97W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)