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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6M1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.166941 +200：￥1.26363 +500：￥1.22145 +1000：￥1.200579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6M1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥0.834224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6M1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥1.441536	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）
	EM6M1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.43665 +10：￥4.633508 +25：￥4.324608 +100：￥3.212566 +250：￥3.051938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： EMT6
	EM6M1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： EMT6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6M1T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 下载数据手册晶体管	+8000：￥2.345551 +48000：￥2.298006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA，200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 5V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

EM6M1T2R参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V，20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA，200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 欧姆 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13pF 5V
功率 - 最大值:	150mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	EMT6
温度:	150°C（TJ）