ES2BHE3_A/I厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 ES2BHE3_A/I 共 7 条相关记录

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2BHE3_A/I Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+6400：￥1.3922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 18pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2BHE3_A/I Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+6400：￥2.405718	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 18pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES2BHE3_A/I Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册未分类	+3200：￥2.317625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： DO-214AA, SMB Mounting Type： Surface Mount Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 20 ns Technology： Standard Capacitance @ Vr, F： 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 2A Supplier Device Package： DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 150°C Part Status： Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 900 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 10 µA @ 50 V
	ES2BHE3_A/I Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册未分类	+1：￥6.30889 +10：￥5.428026 +100：￥4.050782 +500：￥3.182774 +1000：￥2.459515	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： DO-214AA, SMB Mounting Type： Surface Mount Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 20 ns Technology： Standard Capacitance @ Vr, F： 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 2A Supplier Device Package： DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 150°C Part Status： Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 900 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 10 µA @ 50 V
	ES2BHE3_A/I Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册未分类	+1：￥6.30889 +10：￥5.428026 +100：￥4.050782 +500：￥3.182774 +1000：￥2.459515	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： DO-214AA, SMB Mounting Type： Surface Mount Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 20 ns Technology： Standard Capacitance @ Vr, F： 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 2A Supplier Device Package： DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 150°C Part Status： Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 900 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 10 µA @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2BHE3_A/I Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册未分类	+1：￥8.297831 +10：￥7.139265 +100：￥5.338793 +500：￥4.195884 +1000：￥3.240851	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 18pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2BHE3_A/I 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 100V 2A 20ns Automotive 2-Pin SMB T/R 下载数据手册未分类	+6400：￥2.094088 +9600：￥2.065005 +14000：￥2.044231 +22400：￥2.023455 +28000：￥2.00268	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ES2BHE3_A/I参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	100 V
电流 - 平均整流 (Io):	2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	900 mV 2 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	20 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 50 V
不同 Vr、F 时电容:	18pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AA，SMB
供应商器件封装:	DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: