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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB75T2R_null
EMB75T2R
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

+1:

¥3.65161

+100:

¥2.07049

+1000:

¥1.312762

+4000:

¥0.88992

+8000:

¥0.663034

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB75T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥0.954331

+16000:

¥0.848225

+24000:

¥0.795234

+56000:

¥0.705126

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMB75T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥5.748977

+10:

¥4.236746

+100:

¥2.402072

+500:

¥1.590468

+1000:

¥1.219409

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

EMB75T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

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¥5.748977

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¥4.236746

+100:

¥2.402072

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¥1.590468

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¥1.219409

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB75T2R_未分类
EMB75T2R
授权代理品牌

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

未分类

+8000:

¥1.009477

+48000:

¥0.897312

+96000:

¥0.865266

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMB75T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: