品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： EMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： EMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： EMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： EMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： EMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

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晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： EMT6

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封装/外壳： *

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晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

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电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： EMT6

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品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： EMT6

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包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： EMT6

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包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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零件状态： 在售

晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 68 5mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 150mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： EMT6

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