EMH11T2R厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 EMH11T2R 共 14 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.272638 +10：￥0.251668 +30：￥0.247467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+20：￥0.714868 +100：￥0.483395 +1000：￥0.354893 +8000：￥0.257125 +16000：￥0.244299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+10：￥0.420044 +100：￥0.336123 +300：￥0.294162 +1000：￥0.262691 +5000：￥0.23745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.22506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.459461 +500：￥0.305382 +4000：￥0.266138 +8000：￥0.238123 +48000：￥0.235345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册	+1：￥5.52456 +100：￥3.016512 +1000：￥1.84608 +4000：￥1.172304 +8000：￥0.848736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+8000：￥0.594845 +16000：￥0.542375 +24000：￥0.507394 +56000：￥0.495173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+8000：￥1.586929 +16000：￥1.459033 +24000：￥1.39386 +40000：￥1.320732 +56000：￥1.277436	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 150mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度：
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥8.108277 +10：￥5.002654 +100：￥3.175997 +500：￥2.388423 +1000：￥2.133856	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666
	EMH11T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥8.108277 +10：￥5.002654 +100：￥3.175997 +500：￥2.388423 +1000：￥2.133856	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 150mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666

EMH11T2R参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	150mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	EMT6
温度: