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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES3CHE3_A/I Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB 下载数据手册二极管整流器	+100：￥5.331551 +500：￥4.21417 +1000：￥3.373496 +3500：￥3.256432 +7000：￥3.065375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES3CHE3_A/I Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB 下载数据手册二极管整流器	+3500：￥1.984261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES3CHE3_A/I Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB 下载数据手册二极管整流器	+3500：￥3.428796	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES3CHE3_A/I Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥10.913356 +10：￥9.584774 +100：￥6.642912 +500：￥5.551577 +1000：￥4.713305	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

ES3CHE3_A/I参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	150 V
电流 - 平均整流 (Io):	3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	900 mV 3 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 150 V
不同 Vr、F 时电容:	45pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AB，SMC
供应商器件封装:	DO-214AB（SMC）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: