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EPC2100参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | EPC |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | eGaN® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能: | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A(Ta),40A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 8.2 毫欧 25A,5V,2.1 毫欧 25A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 4mA,2.5V 16mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 4.9nC 15V,19nC 15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 475pF 15V,1960pF 15V |
功率 - 最大值: | - |
工作温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 模具 |
供应商器件封装: | 模具 |
温度: | -40°C # 150°C(TJ) |