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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6M2T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.42344 +100：￥1.044288 +300：￥0.851472 +500：￥0.72792 +1000：￥0.651744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 200mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6M2T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.561491 +50：￥0.500736 +150：￥0.470358 +500：￥0.447573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 200mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6M2T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.865634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 200mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6M2T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 下载数据手册未分类	+1000：￥1.467155	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 200mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）
	EM6M2T2R 授权代理品牌	EM6M2T2R VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.955735 +100：￥0.922396 +500：￥0.890445	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	EM6M2T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.128916 +100：￥0.777461 +500：￥0.708699 +2000：￥0.653248 +4000：￥0.613194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 200mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）
	EM6M2T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥0.512712 +16000：￥0.495811 +24000：￥0.487476	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 200mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）
	EM6M2T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥0.416745 +16000：￥0.409799 +24000：￥0.402854 +32000：￥0.395908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 200mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）
	EM6M2T2R 授权代理品牌	EM6M2T2R VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.942307 +50：￥0.917997 +200：￥0.902948 +500：￥0.878638 +3000：￥0.855485	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6M2T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥1.172594 +16000：￥1.088873 +24000：￥1.063706 +56000：￥1.036593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 200mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

EM6M2T2R参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 欧姆 200mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	25pF 10V
功率 - 最大值:	150mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	EMT6
温度:	150°C（TJ）