品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2430 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-ECH

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2430 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-ECH

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2430 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-ECH

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： ECH-8

系列： ECH8420

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 14 A

Rds On-漏源导通电阻： 6.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.3 V

Qg-栅极电荷： 29 nC

Pd-功率耗散： 1.6 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

产品类型： MOSFET

单位重量： 19.450 mg

温度： - 55 C~+ 150 C