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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EPC2033 EPC 授权代理品牌	GANFET N-CH 150V 48A DIE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥107.218373 +200：￥42.780262 +500：￥41.359717 +1000：￥40.649444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： EPC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eGaN® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1140 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装：模具封装/外壳：模具温度： -

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
EPC2033 EPC 授权代理品牌	GANFET N-CH 150V 48A DIE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥77.35574 +1000：￥69.620167	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： EPC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eGaN® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1140 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装：模具封装/外壳：模具温度： -
EPC2033 EPC 授权代理品牌	GANFET N-CH 150V 48A DIE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥122.692464 +10：￥105.205691 +100：￥87.669343	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： eGaN® 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： Die 供应商器件封装： Die
EPC2033 EPC 授权代理品牌	GANFET N-CH 150V 48A DIE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥122.692464 +10：￥105.205691 +100：￥87.669343	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： eGaN® 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： Die 供应商器件封装： Die

EPC2033参数规格

属性	参数值
品牌:	EPC
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	eGaN®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	48A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 毫欧 25A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 5 V
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1140 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	模具
封装/外壳:	模具
温度:	-