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搜索 ES3B 共 38 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES3B ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.214132 +10：￥3.476088 +30：￥2.89674	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： SMC（DO-214AB）工作温度 - 结： -50°C # 150°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES3B ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： SMC（DO-214AB）工作温度 - 结： -50°C # 150°C 温度：
	ES3B DIOTEC(德欧泰克) 授权代理品牌	SF Rect, 100V, 3.00A, 20ns 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： DO-214AB, SMC Mounting Type： Surface Mount Diode Type： Standard Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 25 ns Capacitance @ Vr, F： - Current - Average Rectified (Io)： 3A Supplier Device Package： SMC (DO-214AB) Operating Temperature - Junction： -50°C # 150°C Part Status： Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 900 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 100 V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES3B DIOTEC(德欧泰克) 授权代理品牌	SF Rect, 100V, 3.00A, 20ns 下载数据手册未分类	+1：￥4.030631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： DO-214AB, SMC Mounting Type： Surface Mount Diode Type： Standard Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 25 ns Capacitance @ Vr, F： - Current - Average Rectified (Io)： 3A Supplier Device Package： SMC (DO-214AB) Operating Temperature - Junction： -50°C # 150°C Part Status： Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 900 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 100 V
	ES3B ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥2.988216	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： SMC（DO-214AB）工作温度 - 结： -50°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES3B YANGJIE(扬杰) 授权代理品牌	100V 3000mA 0.95V SMC 下载数据手册未分类	+3000：￥0.461244 +9000：￥0.457247 +30000：￥0.453249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	ES3B DIOTEC(德欧泰克) 授权代理品牌	SF Rect, 100V, 3.00A, 20ns 下载数据手册未分类	+5：￥3.885839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： DO-214AB, SMC Mounting Type： Surface Mount Diode Type： Standard Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 25 ns Capacitance @ Vr, F： - Current - Average Rectified (Io)： 3A Supplier Device Package： SMC (DO-214AB) Operating Temperature - Junction： -50°C # 150°C Part Status： Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 900 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 100 V
	ES3B ON(安森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC 下载数据手册未分类	+25：￥5.837996 +100：￥4.361344 +500：￥3.434103 +1000：￥2.644294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： DO-214AB, SMC Mounting Type： Surface Mount Diode Type： Standard Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 20 ns Capacitance @ Vr, F： 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 3A Supplier Device Package： SMC (DO-214AB) Operating Temperature - Junction： -50°C # 150°C Part Status： Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 10 µA @ 100 V
	ES3B Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB 下载数据手册未分类	+45：￥2.941957	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES3B Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB 下载数据手册未分类	+3000：￥1.169082 +6000：￥1.093646 +15000：￥1.018265 +30000：￥0.965439	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 45pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AB，SMC 供应商器件封装： DO-214AB（SMC）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

ES3B参数规格

属性	参数值
品牌:	Taiwan Semiconductor Corporation
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	100 V
电流 - 平均整流 (Io):	3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	950 mV 3 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 100 V
不同 Vr、F 时电容:	45pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AB，SMC
供应商器件封装:	DO-214AB（SMC）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: