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自营 现货库存
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EMH10T2R_未分类
EMH10T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

未分类

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¥0.502965

+200:

¥0.194641

+500:

¥0.187801

+1000:

¥0.184422

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMH10T2R_未分类
EMH10T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

未分类

+8000:

¥0.291821

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMH10T2R_null
EMH10T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

+1:

¥5.52456

+100:

¥3.016512

+1000:

¥1.84608

+4000:

¥1.172304

+8000:

¥0.848736

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMH10T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥0.742866

+16000:

¥0.694912

+24000:

¥0.678196

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

Digi-Key
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EMH10T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+8000:

¥1.283669

+16000:

¥1.200805

+24000:

¥1.171921

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMH10T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥4.853412

+10:

¥3.894566

+100:

¥2.650436

+500:

¥1.987531

+1000:

¥1.490708

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

EMH10T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

晶体管-双极

+1:

¥4.853412

+10:

¥3.894566

+100:

¥2.650436

+500:

¥1.987531

+1000:

¥1.490708

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
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EMH10T2R
授权代理品牌

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

未分类

+1:

¥5.442189

+10:

¥4.4762

+100:

¥3.047626

+500:

¥2.28572

+1000:

¥1.714289

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMH10T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: