锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 EMB59T2R6 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB59T2R_null
EMB59T2R
授权代理品牌

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH

+1:

¥3.302208

+100:

¥1.872288

+1000:

¥0.958694

+4000:

¥0.649901

+8000:

¥0.491443

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB59T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH

晶体管-双极

+8000:

¥0.825694

+16000:

¥0.714086

+24000:

¥0.700703

+56000:

¥0.580258

+200000:

¥0.571294

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

EMB59T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH

晶体管-双极

+1:

¥4.797601

+10:

¥3.358321

+100:

¥1.695574

+500:

¥1.383478

+1000:

¥1.026434

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

EMB59T2R_晶体管-双极
授权代理品牌

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH

晶体管-双极

+1:

¥4.797601

+10:

¥3.358321

+100:

¥1.695574

+500:

¥1.383478

+1000:

¥1.026434

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB59T2R_晶体管
EMB59T2R
授权代理品牌

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH

晶体管

+1:

¥6.099757

+10:

¥4.269831

+100:

¥1.76572

+1000:

¥1.107588

+2500:

¥1.059432

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMB59T2R_未分类
EMB59T2R
授权代理品牌

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R

未分类

+1191:

¥0.509839

+2500:

¥0.494893

+5000:

¥0.481607

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

EMB59T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: